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Pour ses activités de recherche axées sur le développement de technologies FD-SOI de 10 nm et au-delà, le CEA-LETI souhaite acquérir un équipement d’épitaxie afin de relever les défis technologiques à venir. Cet équipement d’épitaxie à basse température de type RPCVD (« Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition » en anglais ») doit être capable de réaliser une croissance par épitaxie intrinsèque et dopée in situ, non sélective et sélective (types N et P) de semi-conducteurs du groupe IV, à haute et basse température (de 1100°C à 300°C) sur des plaquettes de silicium de 300 mm. Le marché comprend les options suivantes, qui sont levées à la notification du marché : - Option 5 : Systèmes de régulation de température, tel que décrit au paragraphe 3.2.6 du cahier des charges. - Option 7 : Formation maintenance niveau 1, tel que décrit au paragraphe 9 du cahier des charges complété par l’article 9 ci-après). - Option 8 : Formation maintenance avancée, tel que décrit au paragraphe 9 du cahier des charges complété par l’article 9 ci-après).

Fourniture d’un équipement d’épitaxie basse température de type « RPCVD »

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