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L’EPFL prévoit l’achat d’un système Focused Ion Beam — SEM (FIB-SEM) avec la technologie de source plasma au Xe. Ce nouveau microscope servira à l’usinage à l’échelle micro- et nanométrique ainsi que pour la nano-tomographie de grands volumes et la préparation de lamelles «TEM» sans utilisation du Ga dans les domaines de la science des matériaux, de la physique et de la chimie. La machine sera utilisée pour l’usinage de grandes structures dans laquelle un taux d’abrasion supérieur au Ga-FIB est requis mais aussi pour la structuration fine à l’échelle de 100 nm sans créer une contamination par du Ga. L’utilisation principale sera la structuration avec haute résolution des matériaux comme des semi-conducteurs, des métaux, des matériaux non-conducteurs (céramiques, verres et matériaux composites), des matériaux sensibles à l’irradiation (polymères, échantillons organiques) et aussi des combinaisons entre eux.

Focused Ion Beam – SEM (FIB-SEM) mit Xe-Plasma Technologie

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