Ausschreibungen

PLEASE SCROLL DOWN FOR THE ENGLISH VERSION Przedmiotem zamówienia jest „Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC).” Zakup dwóch identycznych szlifierek: Wymagania dotyczące specyfikacji szlifierek • Szlifierka zaprojektowana specjalnie do szlifowania wafli półprzewodnikowych, takich jak azotek galu (GaN) i węglik krzemu (SiC). • Szlifierka jednowrzecionowa do obróbki wafli pojedynczo • Możliwość obróbki wafli o średnicy od 25 mm do 150 mm • Możliwość użycia tarcz szlifierskich od dowolnego dostawcy WYMIARY SZLIFIERKI: • Powierzchnia podstawy: mniej niż: 1,5 m (szer.) x 2,2 m (gł.) x 2,5 m (wys.) • Waga: mniej niż: 5 ton PLATFORMA SZLIFUJĄCA: • Sztywność wrzeciona: co najmniej 1 µm/500 N • Moment znamionowy: >22 Nm • Regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej w osi Z z 3-punktowym podparciem • Prędkość posuwu : 5 mm/s • Cięcie: 0,01–(10,0) μm/s • Rozdzielczość dla osi Z: 0,01 μm POMIAR GRUBOŚCI WAFERA: • Funkcja pomiaru grubości elementu obrabianego w czasie rzeczywistym STÓŁ ROBOCZY: • Prędkość obrotowa: minimum 300 obr./min • Obsługiwane rozmiary elementów obrabianych, dostępne stoły robocze: Ø 25,4 mm Ø 49 mm Ø 50,8 mm Ø 101,6 mm • Materiał porowaty: ceramika TARCZA SZLIFIERSKA: • Średnica tarczy szlifierskiej: od 200 mm do 300 mm • Prędkość obrotowa tarczy: minimum 2500 obr./min • Wymagana regulacja nachylenia tarczy szlifierskiej: Jednostka osi Z (kolumna) z 3-punktowym podparciem • System umożliwiający regulację położenia tarczy szlifierskiej względem stołu próżniowego w celu zapewnienia równoległości • Powtarzalność: 0,5 µm Szczegółowy opis przedmiotu zamówienia znajduje się punkcie 3 SWZ ENGLISH VERSION The subject of the order is the " Delivery of two identical advanced surface grinding systems designed specifically for grinding semiconductor substrates such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC).” Purchase of two identical grinders: Requirements for grinder specifications • Grinder designed specifically for grinding of compound semiconductor wafers such as gallium nitride (GaN) and silicon carbide (SiC) • Single spindle grinder to process wafers one at a time • Capable to process wafer diameters from 25mm up to 150mm • Capable to use grind wheel from any major supplier FOOTPRINT: • Footprint Less than 1,5m (W) x 2,2m (D) x 2.5m (H) • Weight: Less than 5 tons GRIND PLATFORM: • Spindle rigidity at least 1µm/500N • Rated torque: >22Nm • Grind wheel tilt adjustable in z-axis w/ 3-point support • Speed Movement：5mm/sec • Cutting：0.01–(10.0)μm/sec • Resolution capability for the Z axis 0.01μm WAFER THICKNESS MEASUREMENT: • real time workpiece thickness measurement function WORK-TABLE: • Table rotation Speed: min. 300 rpm. • Compatible Workpiece size, with work-tables available: - Ø 25,4 mm - Ø 49 mm - Ø 50,8 mm - Ø 101,6 mm • Porous Material: Ceramic GRIND WHEEL: • Grind wheel diameter: 200-300mm • Grind wheel rotation Speed: min. 2500 rpm. • Grind wheel tilt adjustment required: Z-axis unit (column) w/ 3-point support • System to adjust the position of the grinding wheel relative to the vacuum table to ensure parallelism • Repeat Accuracy 0.5µm A detailed description of the subject of the order can be found in point 3 of the TOR

Dostawa dwóch identycznych zaawansowanych systemów szlifowania powierzchni zaprojektowanych specjalnie do szlifowania podłoży półprzewodnikowych, tak…

Informiere dich täglich über neue Ausschreibungen zum Thema Special-purpose machine tools

Informiere dich täglich über neue
Ausschreibungen zum Thema Special-purpose machine tools