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Im Bereich Forschung und Entwicklung von leistungselektronischen Bauelementen, der Sensor und MEMS Technologie auf dem Halbleitermaterial Siliciumcarbid (SiC) ist ein Heizschritt bis 1 900°C zum Ausheilen von Implantationsschäden und zur Aktivierung der Dotierstoffe unabdingbar. Da in SiC nahezu keine Diffusion auftritt, ist eine selektive Dotierung von Bauelementen auf SiC fast nur durch Implantation möglich. Aber erst ab Temperaturen weit über 1 700°C wird eine vollständige Aktivierung der Dotierstoffe, vor allem des Dotierstoffs Aluminium erreicht. Für unsere Anwendungen benötigen wir daher ein Annealingsystem zum Ausheilen in Argon-Atmosphäre von mindestens 5 Stück Siliciumcarbidscheiben mit Durchmessern bis 150 mm. Da wir vor allem in der Forschung tätig sind, müssen ziemlich unterschiedliche Temperaturrezepte in ein und demselben System gefahren werden. Daher ist eine hohe Flexibilität gefordert. Ein weiterer bedeutender Faktor, besonders in der Forschung, ist die Flexibilität beim Handling von Siliciumscheiben unterschiedlicher Durchmesser. So sollen kleinere Stücke oder Scheiben von 3“ bis 150 mm prozessiert werden können. Deshalb soll ein einfacher und schneller Tausch der Boote möglich sein. Scheibendurchsatz ist dagegen nicht von übergeordneter Bedeutung. Handbeladung ist daher ausreichend.

System zur Ausheilung und Aktivierung bis 1 900°C von Implantationen auf dem Halbleitermaterial SiC.

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