Dostawa wertykalnych tranzystorów typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN

Przedmiotem zamówienia są wertykalne tranzystory typu Trench MOSFET w technologii GaN-on-GaN. Tranzystory muszą spełniać następujące parametry: - tranzystory (40 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 650 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane - tranzystory (80 sztuk): • typu Trench MOSFET • rozmiar 3 mm x 3 mm • w technologii GaN-on-GaN, czyli na podłożu z azotku galu (GaN) • otrzymane metodą epitaksji z fazy gazowej z użyciem metaloorganiki (z ang. metaloorganic vapor phase epitaxy; MOVPE) • zaprojektowane na następujące parametry: napięcie blokujące (blocking voltage) 1200 V, prąd w stanie włączenia (on-state current) 150 A • zapakowane
CPV-Code: 31712350
Abgabefrist:
Typ: Contract award notice
Status: Not applicable
Aufgabe: Other
Vergabestelle:
name: Instytut Wysokich Ciśnień Polskiej Akademii Nauk
address: ul. Sokołowska 29/37
postal_code: 01-142
city: Warszawa - PL
country: PL
email: None
phone: +48 226323628
contact_point: Dariusz Nicia
idate: 17. Oktober 2023 08:14
udate: 17. Oktober 2023 08:14
doc: 627519_2023.xml
authority_types:
activities:
Quelle: https://ted.europa.eu/udl?uri=TED:NOTICE:627519-2023:TEXT:PL:HTML
Unterlagen: None
Zuschlagskriterium: The most economic tender
Vertrag: Supplies
Prozedur: Open procedure
Nuts: None
Veröffentlichung: 17.10.2023
Erfüllungsort: Warschau -
Link:
Lose:
Name Los Nr 1 None
Gewinner None
Datum
Wert None
Anzahl Angebote None