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Pour ses activités de recherche axées sur le développement de technologies FD-SOI de 10 nm et au-delà, le CEA-LETI souhaite acquérir un équipement d’épitaxie afin de relever les défis technologiques à venir. Cet équipement d’épitaxie à basse température de type RPCVD (« Reduced Pressure Chemical Vapor Deposition » en anglais ») doit être capable de réaliser une croissance par épitaxie intrinsèque et dopée in situ, non sélective et sélective (types N et P) de semi-conducteurs du groupe IV, à haute et basse température (de 1100°C à 300°C) sur des plaquettes de silicium de 300 mm. Le marché envisagé comprend les options à chiffrage obligatoire suivantes : - Option 1 : Chambre de gravure pour l’optimisation du contact, tel que décrit aux paragraphes 2.7 et 3.1.5 du cahier des charges. - Option 2 : Chambre de gravure pour le creux latéral (« lateral recess »), tel que décrit au paragraphe 2.8 et 3.1.8 du cahier des charges. - Option 3 : Connexion de l’équipement avec une boite sous-vide pour le transport de plaques, tel que décrit aux paragraphes 3.4 du cahier des charges. Il comprend également les options à chiffrage facultative suivantes : - Option 4 : Systèmes de pompages, tel que décrit au paragraphe 3.2.1 du cahier des charges. - Option 5 : Systèmes de régulation de température, tel que décrit au paragraphe 3.2.6 du cahier des charges. - Option 6 : Transformateur électrique, tel que décrit au paragraphe 4.1.4 du cahier des charges). - Option 7 : Formation maintenance niveau 1, tel que décrit au paragraphe 9 du cahier des charges). - Option 8 : Formation maintenance avancée, tel que décrit au paragraphe 9 du cahier des charges). - Option 9 : Deuxième année de garantie, tel que décrit au paragraphe 11 du cahier des charges).

Fourniture d’un équipement d’épitaxie basse température de type « RPCVD »

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