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Dans le cadre de ses activités de R&D pour le FDSOI à 10 nm et en deçà, le CEA-LETI souhaite acquérir un équipement de diffraction entièrement automatisé, compatible salle blanche, avec une source haute brillance de type anode tournante pour des mesures plein champ rapides, et une source microfaisceau pour les mesures sur plaque produit. Les applications visées sont diverses : composants CMOS avancés, composants de puissances ou LED à base de matériaux III-V, dispositifs 3D, photovoltaïque, mémoires, composants RF, etc. L’équipement sera capable d’effectuer, de manière automatisé, des mesures rapides, fiables et précises de diffraction standard (XRD, couches polycristallines), des mesures de diffraction haute résolution (HRXRD et micro-HRXRD, couches monocristallines), et des mesures de réflectométrie X (XRR) sur couches minces. Les mesures seront effectuées en salle blanche (ISO 4) sur des plaquettes pour la microélectronique de diamètre 200 mm et 300 mm, comprenant des couches unitaires ou multicouches constituées d’une vaste diversité de matériaux, aussi bien en pleine plaque ou à motif après lithographie (mesure avec microfaisceau, avec reconnaissance de motif). L’équipement devra donc être capable de traiter des substrats différents – silicium, SOI, verre, saphir, SiC – sur des gammes d’épaisseur variées. Le présent marché comporte les options obligatoires suivantes : OPT1 : Formation à la Maintenance de 1er niveau; OPT2 : Formation à la Maintenance avancée; Et les options facultatives suivantes : OPT3 : Scan Diffusion transversale (ω), porosité (2θ) pour Module XRR; OPT4 : Scan Stress résiduel (2θ – χ loop) pour Module GIXRD ; OPT5 : Scan Inplane 2θ–φ pour Module IPXRD ; OPT6 : Scan cartographie 2D pour Module XRD ; OPT7 : Système de pompage ; OPT8 : Echangeurs de chaleur et systèmes de refroidissement ; OPT9 : Deuxième année de garantie.

Fourniture d’un diffractomètre rayon X haute résolution

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